本發明公開了一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法,包括步驟:(1)準備溫度控片;(2)反應腔升溫并進行HCL清潔;(3)冷卻至室溫,裝入溫度控片;(4)以恒定的升溫速率升溫至1150?1200℃進行烘烤;(5)取出溫度控片進行化學處理;(6)對溫度控片進行電阻率測試,獲得溫度控片各區域溫度并進行溫度補償;(7)清洗待外延的硅片并重復步(2)的操作后,將待外延的硅片放入反應腔;以步驟(4)中的升溫速率升溫至預設烘烤溫度并同步進行步驟(6)中的溫度補償,進行烘烤;調整反應腔溫度至生長溫度,通入SiHCl3、H2并摻雜,外延生長至目標厚度和目標電阻率。本發明能夠有效控制外延過程中硅片表面的溫度分布,更好控制滑移線的產生。
聲明:
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