本發明屬于半導體技術領域,具體涉及一種用于大面陣混成式焦平面的銦柱結構及制作方法,該結構包括探測器芯片基板和銦柱;銦柱設置在基板上;制作方法包括:用蒸發?光刻的方式制作一層與銦高浸潤的UBM金屬打底層;在UBM打底層上旋轉涂布一層高分子聚合物掩模并用退火的方式固化;將高分子掩模層蓋住UBM打底層的區域刻蝕掉,形成銦柱模型孔;采用雙層厚膠剝離的方式在回溶區域上制作一塊底面銦層;去掉銦柱表面氧化層后,通過在有機溶劑中高溫加熱的方式進行回溶整形;最后用化學清洗劑將下面的高分子聚合物去掉,形成銦柱;本發明通過調節銦柱模型孔的大小和深度,獲得形貌、大小、高度可控的銦柱。
聲明:
“用于大面陣混成式焦平面的銦柱結構及制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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