本發明涉及一種大面積二維單晶及制備方法,包括使用Bi2Te3粉末和氧氣作為制備β?Bi2Te4O11單晶的反應前驅體;使用氟金云母片作為襯底,通過套管法構造前驅體差異濃度場;采用石英管式爐優化升溫程序制備出邊長達到100μm以上的正方形β?Bi2Te4O11單晶,厚度可以達到納米級別。本發明制備的二維β?Bi2Te4O11單晶符合化學計量比,晶體缺陷少。以二維β?Bi2Te4O11單晶制備的375nm近紫外光探測器,其暗態電流低于10?12A,電流開關比達到105以上,光響應度達到79.5A/W,探測度可達1.9×1012Jones。
聲明:
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