本發明一種四元LED芯片干法蝕刻方法,屬于LED蝕刻技術領域;解決的技術問題是提供了一種四元LED芯片干法蝕刻方法,在偏壓功率、電感耦合等離子體和蝕刻時間設定為特定值時調整氣體流量,使被蝕刻產品的均勻度降低,提高產品質量;采用的技術方案為:一種四元LED芯片干法蝕刻方法,按照以下步驟進行:將偏壓功率、電感耦合等離子體功率和蝕刻時間設定為特定值,氣體流量設定為15±1sccm;將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應腔內;將蝕刻完成的材料取出,置入化學溶液中去除掩膜;將材料放入測量儀,測試材料多個位置的蝕刻深度;本發明可廣泛應用于蝕刻技術領域。
聲明:
“四元LED芯片干法蝕刻方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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