本發明公開了一種晶圓表面平坦化的方法,包括,提供表面具有介質層的晶圓,包括中心區域以及環繞中心區域的邊緣區域;去除邊緣區域部分厚度的介質層;對于整個晶圓表面的介質層進行化學機械研磨,其中所述邊緣區域為試片研磨后介質層厚度大于蝕刻通孔深度的介質層區域,邊緣區域介質層去除厚度大于或等于通過試片測得的化學機械研磨后晶圓中心區域的介質層和晶圓邊緣區域的介質層的平均厚度差距。本發明晶圓表面平坦化的方法使得晶圓表面的介質層在經過化學機械研磨之后,晶圓邊緣區域的介質層厚度與晶圓中心區域的介質層厚度差距縮小,從而提高了晶圓表面平坦化的程度。
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