本發明提供了一種高亮度發光二極管芯片的制備方法,是將半切工藝用光刻腐蝕法替代,用光刻膠作腐蝕保護層,通過選擇性曝光、顯影、化學腐蝕的方法,完成共GAAS襯底負極,分離發光二極管芯片的正極。具體方法是發光二極管芯片在完成常規工藝后,在測試前進行以下步驟:(1)勻膠;(2)烘烤;(3)曝光:(4)顯影;(5)烘烤;(6)腐蝕。本發明采用化學腐蝕方法完全替代了常規工藝中的“半切”,只需對芯片進行最后完全分離時的切割,完全不接觸PN結面,避免了對PN結硬性的損傷,提高了器件的合格率,生產效率提高了一倍?;瘜W腐蝕形成的PN結發光區為光亮完整的碗狀臺面,有利于向四周發射的光出射,LED芯片的發光亮度比常規方法能增加10%。
聲明:
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