本發明公開了一種3D疊層芯片封裝器件的芯片分離方法,包括如下步驟:聲學掃描顯微檢測3D疊層芯片封裝ULSI試樣的內部結構,確定所需研磨區域及其面積;用熱熔蠟將3D疊層芯片封裝ULSI試樣固定在研磨臺上;研磨:根據上述研磨區域的面積,選擇研磨鉆頭、研磨力度和研磨方向,去除封裝材料和芯片,研磨至目標芯片表面覆蓋的保護層;采用化學腐蝕法,去除上述的保護層。本發明以研磨為主,化學腐蝕為輔;研磨針對特定局部區域進行去除,不損傷下層芯片內部結構及其鍵合引線;化學腐蝕法將目標芯片表面上覆蓋的保護層或芯片粘結劑去除,目標芯片暴露;所得的目標芯片內部結構和芯片上的鍵合引線完整不受損,方便后續的電測分析。
聲明:
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