本發明提供了一種SnSe2/H?TiO2異質結光電探測器件,包括H?TiO2納米管陣列層和覆蓋于H?TiO2納米管陣列層上的SnSe2納米層。還提供了上述SnSe2/H?TiO2異質結光電探測器件制備方法,包括以下步驟:(1)采用陽極氧化法制備不定型TiOx納米管陣列;(2)將不定型TiOx納米管陣列進行退火處理,得到TiO2納米管陣列;(3)以硒粉與SnCl4·5H2O為原料,用化學氣相沉積方法,在TiO2納米管陣列表面沉積SnSe2納米層,沉積SnSe2納米層時同時通入氫氣,將TiO2氫化為H?TiO2,即得到SnSe2/H?TiO2異質結。本發明方法制備的SnSe2/H?TiO2異質結光電器件材料具有較高的光電響應性能并且擴大了器件的探測范圍,且該制備方法簡單、成本低、反應條件容易控制。
聲明:
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