本發明公開了一種基于泄漏模式共振的小直徑硅納米線陣列的紫外光電探測器及其制備方法,是在(100)晶向的輕摻雜硅晶圓上利用金屬輔助化學濕法刻蝕方法形成有小直徑硅納米線陣列,在硅納米線陣列上鋪設有石墨烯薄膜,硅納米線陣列與石墨烯薄膜形成肖特基勢壘,從而構成紫外光電探測器。與基于無機寬禁帶半導體的器件相比,本發明的器件具有響應速度快、響應度高、制備簡單的優勢。
聲明:
“基于泄漏模式共振的小直徑硅納米線陣列的紫外光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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