本發明公開了一種臺面型探測器表面鈍化層的生長方法,其包括:在低溫環境下采用等離子體化學氣相沉積工藝在晶圓的臺面結構表面形成SiO2鈍化膜;在SiO2鈍化膜上涂覆聚酰亞胺膜并對聚酰亞胺膜進行梯度固化使聚酰亞胺膜致密;在聚酰亞胺膜上旋涂光刻膠形成光刻膠層,并在光刻膠層上形成曝光區域;對曝光區域的光刻膠層進行顯影處理,并對曝光區域的聚酰亞胺膜進行腐蝕,然后去除光刻膠層;對聚酰亞胺膜進行亞胺化處理以使聚酰亞胺膜固定在SiO2鈍化膜表面;對暴露出的SiO2鈍化膜進行腐蝕以留出電極位置。本發明能夠改進臺面型探測器鈍化質量,有效降低器件表面漏電流,防止器件提前擊穿,同時提高器件的可靠性。
聲明:
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