本發明公開了一種KNb3O8納米帶、制備方法及其深紫外光電探測應用。采用化學氣相沉積法,以研磨均勻混合的Nb2O5和KCl粉末為前驅體,云母為襯底,實現了高結晶質量KNb3O8納米帶的可控生長,其帶隙達到4.15eV。采用微納加工技術制備的KNb3O8納米帶深紫外探測器包括Si/SiO2襯底、單根KNb3O8納米帶及金屬電極。器件具有良好的光電響應性能和顯著的偏振依賴特性,對254nm的深紫外光展現了30A/W的高響應度,及大的開關比(106)和各向異性光電流比(1.62)。所述方法解決了高結晶質量、超寬帶隙KNb3O8納米帶的制備問題,實現了偏振敏感深紫外光電探測器的構筑。
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