本發明公開了一種GaAs基LFET太赫茲紅外光探測器和制備方法,該探測器包括吸收區、阻擋區、源漏區、介電區和柵區六個部分,制備方法包括五個步驟,即通過光刻、離子注入、等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)、熱蒸發技術在高阻GaAs基底依次形成吸收區,源漏區(與阻擋區),介電區,源漏電極,以及柵區。本發明的優點是:柵區電壓導致吸收區載流子耗盡有效降低了光生電子?空穴對的復合速率,提高了內量子效率,從而提高了傳統雜質光電導型光子探測器的探測率,并且與當前的半導體工藝技術相兼容。
聲明:
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