本發明涉及光電探測器領域,具體為一種基于單壁碳納米管薄膜的異質結光電探測器的制備方法。首先利用浮動催化劑化學氣相沉積法制備出高性能、柔性單壁碳納米管薄膜,將沉積于微孔濾膜上的單壁碳納米管薄膜裁剪成合適尺寸;將其置于預先開設窗口的硅基底上表面,使單壁碳納米管薄膜與硅基底緊密接觸,并移去濾膜后,放置于空氣環境下熱處理,在窗口處制備一層數納米厚的誘導氧化層;然后制備上電極(銀膠)和下電極(銦鎵合金)即得所述光電探測器。本發明異質結光電探測器結構簡單,制備過程便捷,所構建的光電探測器具有優異的光電探測性能及穩定性。
聲明:
“基于單壁碳納米管薄膜的異質結光電探測器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)