本發明公開了一種金屬/石墨烯/多晶金剛石膜粒子探測器制備方法,屬于核物理技術領域,其步驟為先于Ar和H2等離子體氣氛中700?800℃溫度范圍對金屬基體進行熱處理,再關閉Ar通入CH4,調節微波功率于600?700℃的金屬基體表面生長石墨烯層,最后再調節H2、CH4比例、微波功率及銅箔溫度,在800?900℃基體溫度范圍、1.66~4.50%的甲烷濃度條件下生長0.25~0.5 mm厚的高質量多晶金剛石膜,形成基于金屬+石墨烯歐姆接觸電極的金剛石粒子探測器;上述步驟優選在同一套微波等離子體化學氣相沉積裝置中完成,在同一套裝置中通過原位連續生長構建探測器整體結構,材料不需在不同設備間轉移,本發明的方法制備效率高、步驟簡便、成本低,且能保證各層材料制備的高質量。
聲明:
“金屬/石墨烯/多晶金剛石膜粒子探測器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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