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基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長選擇性光探測器及其構建方法

944   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:27:48
本發明涉及一種基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長選擇性光探測器及其構建方法,屬于低維半導體材料光電應用技術領域。本發明所設計的選擇性光探測器由n個電極和類硫硒化鎘納米帶構成;所述n大于等于3;所述類硫硒化鎘納米帶的化學式為CdSxSe1?x;所述類硫硒化鎘納米帶上,S的含量呈梯度變化;所述x小于1。波長選擇性光探測器構建方法為將梯度納米帶分散到SiO2基底上, 經過光刻,熱蒸發60/20nm?Cr/Au, 去膠后得到納米帶器件。本發明通過選擇單根納米帶不同位置的電極可以得到對應的波長范圍的光探測。該探測器可以應用于納米級光電集成電路。
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“基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長選擇性光探測器及其構建方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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