本發明涉及一種利用循環伏安法測定半導體納米晶LUMO值與HOMO值的方法,借助電化學工作站三電極體系,通過將半導體納米晶分散在溶劑中然后滴覆在工作電極(6)表面形成薄膜,在惰性氣體保護下對半導體納米晶的電化學性能進行測試,并提取納米晶發生氧化還原反應起始位置的電勢值,進而計算半導體納米晶的LUMO值、HOMO值以及禁帶寬度值,實現半導體納米晶能帶結構的準確測定,所得測試結果與吸收光譜法比較偏差小。本發明所提供的方法中的滴覆方式使半導體納米晶在工作電極表面形成薄膜,減少了實驗用料;并通過惰性氣體的保護,避免了半導體納米晶的不穩定,可以實現多種半導體納米晶的能帶結構測定。
聲明:
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