本發明涉及一種具有全波長的光探測器及制備方法,該光探測器包括:一基底,在基底上生長一層ZnO或La1-xSrxMnO3膜,再在ZnO或La1-xSrxMnO3膜上生長一層La1-xSrxMnO3或ZnO膜形成異質結,ZnO/La1-xSrxMnO3異質結結構與基底一起構成光探測器的芯片;所述的第一電極設置在ZnO膜上,第二電極設置在La1-xSrxMnO3膜上,第一電極引線和第二電極引線連接在電極上;所述的La1-xSrxMnO3,其中x為0.01-0.5。該器件采用常規分子束外延、脈沖激光淀積、化學氣相沉積、濺射、物理氣相沉積或超聲噴霧的方法和設備,在基底上進行制備異質結形成光探測器芯片。當光照射探測器后直接產生電壓信號,不需要任何輔助的電源和電子電路。其響應波段從紫外到遠紅外,光生電壓信號可達近百mV。
聲明:
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