本發明涉及一種用于長波光通信的光電探測器及其制備方法,其中,所述制備方法包括:選取N型Si或SOI襯底;在所述襯底上生長Ge緩沖層;在所述Ge緩沖層上生長N型GeSn緩沖層;在所述GeSn緩沖層上生長GeSn/Ge多量子阱有源層;在所述GeSn/Ge多量子阱有源層上生長GeSn接觸層;在所述GeSn接觸層上采用等離子體化學氣相沉積工藝生長SiO2;光刻引線以制備所述光電探測器。本發明制備的用于長波光通信的光電探測器測器兼容Si?CMOS工藝,克服了暗電流大,低于1800nm連續波段探測問題,高效,且能夠在GeSn量子阱中引入不同的應變,調節量子阱的帶隙結構以擴展光電探測器的吸收波長范圍和吸收系數。
聲明:
“用于長波光通信的光電探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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