本發明公開了采用庫倫滴定測試氧化物薄膜氧空位濃度變化的方法,所述方法包括:(1)在鍍有集電極網的電解質襯底上生長氧化物薄膜,構建以所述氧化物薄膜作為正電極的電化學電池;(2)對所述電化學電池施加不同的偏壓,得到所述氧化物薄膜的電流隨時間變化的曲線,積分,得到在所述偏壓下引起的所述氧化物薄膜的電荷量的變化,通過公式計算得到所述氧化物薄膜的氧空位濃度的變化。該方法能夠可靠、方便、高效地測量氧化物薄膜的氧空位濃度的變化,通過本發明方法測得的氧化物薄膜中的氧空位濃度的變化值與采用化學電容法得到的氧空位濃度的變化值相當,由此證明了本發明所述方法的準確性和可靠性。
聲明:
“采用庫倫滴定測試氧化物薄膜氧空位濃度變化的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)