本發明涉及一種微條氣體室探測器基板的制造方法,它是采用熱絲化學氣相沉積法由硅基片上沉積CVD金剛石膜而制成。先對n型(100)單晶硅基片預處理,然后放入熱絲化學氣相沉積裝置的真空反應室中充入反應氣體乙醇和氫氣,經氫等離子體清洗、碳化、偏壓增強成核、生長四個過程制得基板毛胚,再經激光法拋光和清潔處理而制得。本發明通過控制金剛石晶粒的擇優生長和采用激光拋光法兩種途徑獲得高質量、低表面粗糙度的金剛石薄膜基板,可克服目前探測器電荷積累效應大和基板不穩定性,是一種理想的微條氣體室探測器基板。本發明制作工藝簡單、成本低廉、實用性強和無毒無害。
聲明:
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