本發明公開了一種檢測圖形片硅研磨速率的方法,包括以下步驟:步驟一、測量并記錄圖形結構片特定量測圖形不同位置的初始斷差;步驟二、選擇幾枚硅生長厚度相當的圖形片,用化學機械拋光設備對每一枚外延片以不同時間進行研磨;步驟三、對每一枚用不同時間研磨的硅圖形結構片在特定量測圖形位置的斷差后值進行測量并記錄后值;步驟四、對每一枚硅圖形結構片的斷差后值和不同的研磨時間作圖得出直線。此直線的斜率K即為在硅片任意位置處的研磨速率。本發明可以獲得可以準確測定任何不同圖形片的硅研磨速率,快速有效。不同于切片對硅片的破壞性檢測,對硅片的再利用率高。
聲明:
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