本發明涉及材料檢測技術領域,且公開了一種用于高純GaN單晶中痕量雜質元素分布的檢測方法,包括以下步驟:步驟1、將待測的GaN單晶樣品放置于樣品室中的載物臺上;步驟2、將樣品室先抽真空,再通入載氣,使樣品室氣壓上升至大氣壓;隨之抽真空,再次通載氣至大氣壓,反復若干次;步驟3、將樣品室通入載氣并保持穩定氣流持續吹掃樣品室,引入ICP炬焰,檢測各待測元素質荷比計數,直至待測元素質譜信號穩定后作為空白值。本發明無需強酸、強堿及消解設備,綠色環保,樣品無需特別加工、檢測方便快速、測定下限低,干擾少,靈敏準確;可直接用于高純GaN的雜質元素含量測定和雜質元素分布平面(三維)測定;完全規避了樣品化學消解帶來的局限性。
聲明:
“用于高純GaN單晶中痕量雜質元素分布的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)