本申請涉及一種半導體機臺的氣密性檢測方法。所述半導體機臺的氣密性檢測方法包括如下步驟:形成測試芯片,所述測試芯片包括襯底以及位于所述襯底上的測試膜層,所述測試膜層中具有測試圖案,所述測試膜層具有化學反應活性;獲取所述測試圖案的第一特征尺寸;放置所述測試芯片至半導體機臺內部;于所述半導體機臺內部建立真空環境;獲取自所述半導體機臺內部取出后的所述測試圖案的第二特征尺寸;判斷所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸,若是,則確認所述半導體機臺的氣密性差。本申請縮短了半導體機臺氣密性檢測的時間,降低了半導體機臺氣密性檢測的成本,并提高了半導體機臺氣密性檢測的準確度。
聲明:
“半導體機臺的氣密性檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)