本發明涉及一種赭曲霉毒素A光電化學傳感器的制備方法及應用。該方法利用BiVO4/TiO2作為基底材料,其優良的導電性和大的表面積能有效減小背景信號。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法,在BiVO4表面原位生成高光電轉換率的窄帶隙Ag2S光電活性材料,通過可見光波長的LED燈照射Ag2S,產生光電流信號。載體BiVO4/TiO2與Ag2S能帶匹配度良好,能進一步提高Ag2S的光電轉換信號,從而實現了赭曲霉毒素A的高靈敏測定。
聲明:
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