一種半導體制造技術領域的基于化學刻蝕的單晶硅表面結構及其制備及應用方法,該單晶硅表面結構的表面為絨面且均勻分布有高度為1-3μm的金字塔結構,該金字塔結構的尖銳的棱邊被平滑化且沒有尖銳的頂角和棱邊的單晶硅表面形貌。本發明通過對其少子壽命、表面反射率等參數的測量,發現其效果更優于普通堿液制絨的金字塔絨面。
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