本發明提供了一種高密度培養兩歧雙歧桿菌的化學去脅迫法,包括以下步驟:a.配制兩歧雙歧桿菌的培養基;b.步驟(a)配制的培養基中添加抗氧化劑,并進行滅菌處理;c.接種;d.培養過程中繼續補加抗氧化劑;e.培養結束后,采用平板計數法進行活菌計數。所述步驟(b)中的抗氧化劑為異抗壞血酸鈉,所述步驟(d)中的抗氧化劑為抗壞血酸鈉。本發明提供的化學去脅迫法能夠提升兩歧雙歧桿菌的培養密度,提升益生菌的培養效率,節約生產空間和成本。
聲明:
“高密度培養兩歧雙桿菌的化學去脅迫法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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