本發明公開了一種用于拋光硒化鎘晶體的化學機械拋光方法。該方法分為兩步,通過采用配制的粗拋光液、精拋光液先后進行粗拋光和精拋光,控制拋光液流速、拋光壓力、拋光轉速和拋光時間,以解決晶體表面劃痕、凹坑等表面損傷問題,實現短周期內得到納米級表面粗糙度的高質量光滑表面。采用本發明的化學機械拋光工藝,綜合去除速率約為500nm/min,可以在較短時間內去除表面損傷層。晶片表面損傷層較薄,無麻坑等拋光缺陷;原子力顯微鏡(AFM)檢測顯示粗糙度Ra值小于1nm,更優的可小于0.5nm,劃痕深度小于2nm。每個加工周期耗時小于60min,大大提升了拋光效率,進一步的降低了拋光成本。
聲明:
“用于硒化鎘晶體的化學機械拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)