本發明屬于電化學芯片技術領域,具體涉及一種透射電鏡電化學檢測芯片及其制造方法。所述透射電鏡電化學檢測芯片包括上片和下片,上片和下片都為正反面都設有絕緣層的硅基片,上片的正面與下片的正面通過粘結層固定粘結,上片、下片和粘結層共同構成一腔室;上片上設有注樣口和第一視窗,下片上設有工作電極、參比電極、對電極、第二視窗和溫度計,工作電極、參比電極和對電極都搭設在第二視窗上。本發明提供的透射電鏡電化學檢測芯片的下片設置有溫度計,溫度計可以用于實時監控反應溫度,便于使用者更好地了解電化學反應吸放熱反應類型以及溫度對電化學反應的影響。本發明提供的制造方法可以用于制造前述透射電鏡電化學檢測芯片。
聲明:
“透射電鏡電化學檢測芯片及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)