本發明公開了一種金剛石納米線陣列、制備方法及用于電化學分析的電極。該制備方法包括:在金剛石薄膜的表面上設置掩模層,該掩模層的圖形構成為覆蓋待形成的各個金剛石納米線的頂端,并暴露出相鄰的金剛石納米線之間的待刻蝕部分;采用ICP-RIE刻蝕工藝對具有掩模層的金剛石薄膜刻蝕,以去除待刻蝕部分,在金剛石薄膜中形成柱狀的各個金剛石納米線;去除位于各個金剛石納米線的頂端的掩膜層的材料。本發明采用ICP-RIE刻蝕,由于增加了具有高的等離子體密度及刻蝕效率的電感耦合元件,可以分別控制等離子體的產生和加速,實現了刻蝕過程和形貌可控,進而得到了側壁陡直性更好且深寬比更高的金剛石納米線陣列。
聲明:
“金剛石納米線陣列、其制備方法及用于電化學分析的電極” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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