本發明提供一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列及其制備方法,采用磁控濺射沉積銀、鉭復合薄膜,將清洗干凈的單晶硅片真空下并沉積鉻膜;然后控制電流強度,分別精確調控銀、鉭元素沉積速率,維持腔室反應壓力,持續濺射沉積,鉭元素封堵銀在沉積過程中形成的間隙,在適當的銀、鉭元素沉積速率下形成銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列。隨著鉭沉積速率的增加,薄膜表面孔狀陣列會被鉭元素大量封堵,進一步形成更為光滑的薄膜表面形貌。本發明所制備的銀鉭復合材料有序多孔陣列制備過程簡單,比表面積大,便于大面積生長,成本低,薄膜表面無有機化合物污染,能廣泛應用于SERS傳感、金屬催化、納米探針、光電器件、太陽能電池,吸附材料等領域。
聲明:
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