一種形成氮化物半導體器件的工藝

本發(fā)明屬于半導體器件加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其為一種形成氮化物半導體器件的工藝，針對現有的氮化物半導體器件的抗靜電能力弱，很容易因靜電損耗氮化物半導體器件的特性的問(wèn)題，現提出如下方案，該生產(chǎn)工藝包括以下步驟：S1：選擇襯底和半導體器件的半導體堆疊體，半導體堆疊體依次在襯底上生長(cháng)成溝道層和阻擋層；S2：對上述生長(cháng)成的溝道層和阻擋層的頂部進(jìn)行蝕刻，以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發(fā)明設計合理，在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠，有效的避免了電荷在氮化物半導體器件表面的流動(dòng)，解決了氮化物半導體器件抗靜電能力弱的問(wèn)題，擴展了氮化物半導體器件的適用范圍。