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一種形成氮化物半導體器件的工藝

1237   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 06:32:26
本發明屬于半導體器件加工技術領域,尤其為一種形成氮化物半導體器件的工藝,針對現有的氮化物半導體器件的抗靜電能力弱,很容易因靜電損耗氮化物半導體器件的特性的問題,現提出如下方案,該生產工藝包括以下步驟:S1:選擇襯底和半導體器件的半導體堆疊體,半導體堆疊體依次在襯底上生長成溝道層和阻擋層;S2:對上述生長成的溝道層和阻擋層的頂部進行蝕刻,以便在溝道層和阻擋層的頂部形成凹槽。本發明設計合理,在溝道層、阻擋層和接觸層的非接觸位置均包裹了橡膠,有效的避免了電荷在氮化物半導體器件表面的流動,解決了氮化物半導體器件抗靜電能力弱的問題,擴展了氮化物半導體器件的適用范圍。
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