本發明實施例提供一種用于弱光探測的鈣鈦礦量子點光電晶體管,其特征在于,包括:上表面水平的基礎襯底;柵電極位于基礎襯底上;柵介電層和基礎襯底全包圍柵電極,且投影面積等于基礎襯底;金屬氧化物半導體薄膜位于柵介電層上;源漏金屬電極位于柵介電層和金屬氧化物半導體薄膜上;電荷傳輸界面層位于源漏金屬電極中間;鈣鈦礦量子點材料層位于電荷傳輸界面層正上方且完全覆蓋電荷傳輸界面層;金屬氧化物半導體薄膜、電荷傳輸界面層薄膜、鈣鈦礦量子點材料層投影面積等于柵電極。
聲明:
“用于弱光探測的鈣鈦礦量子點光電晶體管及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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