FJL系列實(shí)驗井式爐一體化設計,采用加熱元件環(huán)形加熱,溫場(chǎng)均勻極好,陶瓷纖維爐膛,蓄熱小,升溫快。主要用于金屬材料熱處理、粉體材料等產(chǎn)品的空氣或者其它氣氛下的燒結工藝,適合高校、科研院所實(shí)驗之用。
主要設計用于氮化鋁、氮化硅、氧化鋁、氧化鋯、介質(zhì)陶瓷的精細陶瓷元件的脫脂和預燒結一體化工藝,也可以用于陶瓷粉體材料、磁性材料、LTCC、MLCC、NTC、NFC、陶瓷芯等其他電子元器件的排膠、預燒和燒結工藝,采用獨特的熱場(chǎng)控制方式使得低溫排膠和高溫預燒的溫場(chǎng)均勻性極佳,保證了排膠和燒結兩個(gè)工藝段所需要的溫場(chǎng)均勻性。
鋰電化工多功能一體機是中科新能研發(fā)制造的新型密閉鋰電化工多功能一體國標級過(guò)濾設備,國內首次特大型多功能一體:國內僅有集真空上料、攪拌混合、反應生晶、在線(xiàn)監測、打漿洗滌、壓濾吹干、干燥干粉出料等多種功能于一體,低能耗高能效高精度分離加工循環(huán)走作業(yè)。簡(jiǎn)化工藝流程、提高生產(chǎn)效率、防止物料污染。針對化工企業(yè)的強腐蝕、強溶劑場(chǎng)合,設備可選用過(guò)流部分襯塑模塊化定制來(lái)解決。
ZKCQ新型高效鋰電化工離心萃取機是基于智能自動(dòng)化技術(shù)及新材料應用,中科新能打造的具備高分離因數、強穩定性的國標級設備。針對強酸、強堿、強腐蝕性場(chǎng)合,新型材料適配實(shí)現多級智能千倍超重力高分配系數萃取。相平衡短,可實(shí)現300多級串/錯流萃取和洗滌,適于深度提取。
ZKCQ新型高效鋰電化工離心萃取機是基于自動(dòng)化技術(shù)及新材料應用,中科新能打造的具備高分離因數、強穩定性的國標級設備。針對強酸、強堿、強腐蝕性場(chǎng)合,設備可選用全防腐增強材質(zhì)。相平衡短,可實(shí)現多級串/錯流萃取和洗滌,適于深度提取。
鋰電化工ZKFD離心機是中科新能制造的一種過(guò)濾式、自動(dòng)卸料、間歇式離心機。在不打開(kāi)機器的情況下自動(dòng)卸料,不留任何殘余物料。集多項高新技術(shù)于一體,如PLC或電腦觸摸屏程序控制、變頻驅動(dòng)、非接觸料位探測、可控進(jìn)料、自動(dòng)均勻加料裝置。
新能源新新材料過(guò)濾洗滌干燥一體機是中科新能研發(fā)制造的新型密閉多功能一體國標級過(guò)濾設備,在同個(gè)容器內,先后完成進(jìn)料過(guò)濾、打漿洗滌、干燥、自動(dòng)卸料等多種工藝的設備,簡(jiǎn)化工藝流程、提高生產(chǎn)效率、防止物料污染。針對化工企業(yè)的強腐蝕、強溶劑場(chǎng)合,設備可選用過(guò)流部分襯塑來(lái)解決。
真空氣氛箱式爐是以電阻絲為加熱元件、采用K型熱電偶和30段可編程溫度控制器。爐膛采用高質(zhì)量氧化鋁微晶體纖維材料,工作溫度能達到1100℃,可連續工作1000℃,控溫精度±1℃;大功率為1KW, 同時(shí)設有通氣接口,可用于氧氣或惰性氣體下使用。該爐具有體積小、重量輕、溫場(chǎng)均衡、升降溫度速率快、節能 等優(yōu)點(diǎn),此外,該款設備還可放置到手套箱內在真空和可控氣氛條件下燒結樣品,是高校、科研院。
LFT1700C系列高溫真空管式爐如圖所示,集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用1800型真空成型高純氧化鋁聚輕材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅鉬棒。高純氧化鋁管橫穿于爐體中間作為爐膛,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,工件式樣在管中加熱,加熱元件均勻分布于爐管兩側,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“B"型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。它是專(zhuān)為高等院校﹑科研院所及工礦企業(yè)對金屬,非金屬及其它化和物材料在氣氛或真空狀態(tài)下進(jìn)行高溫燒結﹑融化﹑分析而研制的專(zhuān)用設備。
1200系列八溫區真空管式爐LFT1200C2400D200VIII設備主要適用于中小批量材料在高溫條件下熱處理,集控制系統與爐膛為一體,保溫材料使用高純氧化鋁纖維材料,內嵌式加熱式與保溫材料一體成型。爐管采用高純石英管,石英管和金屬法蘭之前采用橡膠擠壓密封,加熱絲均勻分布于爐管四周,確保良好的溫場(chǎng)均勻性。測溫采用性能穩定、長(cháng)壽命(適于中高溫檢測)的“K"型熱電偶,以提高控溫的精確性。
立式淬火爐 LFT1500C 50D30 OP,爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用硅碳棒為加熱元件。該設備設計為立式結構,樣品由吊絲固定,真空腔室上端配有電磁鐵固定吊絲,可在真空條件下完成淬火工作。其爐管為外徑Ф30mm的剛玉管,采用法蘭來(lái)密封。此設備設計是用于樣品高溫淬火。樣品高溫處理后,迅速墜落到冰水中或油中,來(lái)研究樣品在高溫狀態(tài)下的相變和結構。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀,控制電源開(kāi)關(guān)、電磁鐵旋鈕開(kāi)關(guān)、主加熱工作/停止按鈕,工作狀態(tài)指示燈,以便隨時(shí)觀(guān)察本系統的工作狀態(tài)。
區域熔融純化設備襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用電阻絲為加熱元件。加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測溫采用性能穩定、長(cháng)壽命的“K"型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。該設備采用PLC控制程序實(shí)現爐體移動(dòng)與溫度控制同步,當設備達到設定溫度點(diǎn)后,爐體在PLC控制的電機驅動(dòng)下,開(kāi)始移動(dòng),碰到限位開(kāi)關(guān)后自動(dòng)返回(返回過(guò)程中爐體自然降
煅燒爐,集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管,爐管兩端用不銹鋼法蘭密封,工件式樣在腔體內加熱,加熱元件均勻分布于腔體下側,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“S"型熱電偶。煅燒爐能夠快速開(kāi)啟,快速升降溫,方便客戶(hù)對特殊材料的裝載,燒制和觀(guān)察。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀,控制電源開(kāi)關(guān)、主加熱工作/停止按鈕,工作狀態(tài)指示燈,以便隨時(shí)觀(guān)察本系統的工作狀態(tài)。
真空氣氛箱式爐 LFM1200C 64VC用于在1100℃下半導體器件、金屬材料的熱處理和還原性燒結等工藝,也可用于產(chǎn)品的炭化試驗。該爐采用電阻絲加熱,PID程序控溫儀控制,溫控儀可設定30 段升溫曲線(xiàn)、PID控制參數自整定、并具有斷偶、超溫報警保護等功能。爐體采超輕質(zhì)高鋁纖維材料,具有熱容小、溫度升降控制靈活、節能等特點(diǎn),設備可根據真空度的需要分別選用機械泵或其他真空機組,非常適合于試驗和小批量生產(chǎn)之用。
LFT-1200C 400D60單溫區管式爐采用雙層風(fēng)冷結構,爐體表面溫度≤60℃,爐膛采用高純度氧化鋁微晶纖維高溫真空吸附成型。。進(jìn)口加熱電阻絲鑲嵌延長(cháng)爐體使用壽命,是專(zhuān)為高等院校﹑科研院所的實(shí)驗室及工礦企業(yè)在可控多種氣氛及真空狀態(tài)下對金屬,非金屬及其它化合物進(jìn)行燒結﹑熔化﹑分析而研制的理想設備。
多溫區管式高溫高壓爐集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用硅碳棒為加熱元件,均勻分布于爐管兩側,溫場(chǎng)均勻可靠。鎳基合金材料制成的金屬爐管配備CF法蘭密封形式及金屬紫銅密封圈,提高設備的使用溫度,同時(shí)能實(shí)現在一定的高壓條件下實(shí)驗。工件式樣在管中加熱,加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。
立式高溫淬火爐如圖所示,集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用電阻絲為加熱元件,用于催化劑焙燒,方便催化劑裝填和轉移。石英玻璃管橫穿于爐體中間作為爐膛,爐管上端用選用不銹鋼法蘭密封,下端可用根據用戶(hù)要求使用橡膠塞隔熱,配有不銹鋼雙層托架,可放置樣品。工件式樣在管中加熱,加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場(chǎng)的均勻性。測溫采用性能穩定、長(cháng)壽命的“K”型熱電偶,直接和式樣接觸,以提高控溫的精確性。
新能源材料設備是由開(kāi)啟式真空管式爐根據特殊工藝要求而設計的,其滑軌式結構設計在實(shí)驗過(guò)程中可滿(mǎn)足多種工藝要求,可將樣品直接推至實(shí)驗所需設定高溫區,使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率,滿(mǎn)足工藝要求對升降溫要求較高的實(shí)驗,是一款性?xún)r(jià)比很高的產(chǎn)品,同時(shí)具有一定的可擴展性,比較適用于二維材料,碳材料的實(shí)驗要求。
該石墨烯制備設備雙溫區滑軌式CVD系統系統由預熱爐、雙溫區滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統、真空系統三部分組成。CVD(化學(xué)氣象沉積系統)常用于表面材料生長(cháng)、沉積,是一款實(shí)驗室常用設備。
碳納米膜制備設備,由氣體質(zhì)量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長(cháng)系統、水冷卻系統、碳納米線(xiàn)或膜收集系統,紅外烘干系統等組成。生長(cháng)爐的最高溫度1400℃,并可在0-1400℃之間連續可調,垂直式分布熱場(chǎng),三點(diǎn)控溫(三段長(cháng)度平均分配),設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風(fēng)冷系統,保溫材料為加厚型,殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料,加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設備可以實(shí)現連續生長(cháng)不間斷的特點(diǎn)。
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