半導體材料處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵支撐。其具有規模大、品類(lèi)多、技術(shù)門(mén)檻高等特點(diǎn)，占半導體行業(yè)產(chǎn)值約10%多。2022年全球市場(chǎng)規模達727億美元。隨著(zhù)AI應用拓寬和終端消費電子產(chǎn)品滲透，高性能芯片需求大增，推動(dòng)半導體材料需求上升。IDC預計2025年全球半導體市場(chǎng)穩步增長(cháng)，將帶動(dòng)半導體材料需求。國內相關(guān)企業(yè)如鼎龍股份、上海新陽(yáng)等在各自領(lǐng)域取得突破和進(jìn)展，有望迎來(lái)良好發(fā)展機遇。

長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目總投資高達200億元，占地面積達498畝，其中一期占地344畝。該項目達產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬(wàn)片外延、36萬(wàn)片6寸碳化硅晶圓以及6100萬(wàn)個(gè)碳化硅功率模塊的強大制造能力，滿(mǎn)產(chǎn)后甚至可滿(mǎn)足144萬(wàn)臺新能源汽車(chē)對高端芯片的需求。

據新加坡《聯(lián)合早報》網(wǎng)站5月25日引述路透社消息報道，美國芯片巨頭英偉達將為中國市場(chǎng)推出一款基于Blackwell架構的人工智能（AI）芯片。這款芯片的售價(jià)將大幅低于先前的H20芯片，預計最快于6月開(kāi)始量產(chǎn)。報道指出，這將是英偉達第三次為中國市場(chǎng)推出符合美國監管要求的降級版芯片，旨在應對美國政府對H20芯片的銷(xiāo)售禁令。

據Deal Site報道，三星的12層HBM3E產(chǎn)品已基本通過(guò)英偉達的DRAM單芯片認證，目前正在推進(jìn)成品認證程序。三星原計劃在6月至7月完成認證，但由于延遲，最終結果可能要到2025年下半年才能揭曉。這一進(jìn)展標志著(zhù)三星在高端存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，同時(shí)也反映了半導體行業(yè)在高帶寬存儲器領(lǐng)域的激烈競爭。

Arm官網(wǎng)發(fā)布新聞稿確認，小米玄戒O1芯片由小米自主研發(fā)，并對芯片技術(shù)細節進(jìn)行了詳細說(shuō)明。這款芯片采用最新的Armv9.2 Cortex CPU集群IP、Immortalis GPU IP和CoreLink系統互連IP，全面支持3nm先進(jìn)制程工藝，展現了小米在芯片設計領(lǐng)域的強大實(shí)力，標志著(zhù)小米與Arm15年合作的新里程碑。

作為重要的半導體材料，砷化鎵屬于Ⅲ~Ⅴ族化合物半導體，由其制成的半絕緣高阻材料的電阻率比硅、鍺高3個(gè)數量級以上，可用來(lái)制作集成電路襯底。寬禁帶(1.4eV)、高電子遷移率[8500cm2/(V·s)]、能帶結構為直接帶隙的特點(diǎn)決定了其在微電子器件研制中的主要地位。但在砷化鎵芯片的生產(chǎn)過(guò)程中，研磨、清洗等工序會(huì )產(chǎn)生含砷廢水，而砷是劇毒物質(zhì)，會(huì )對人體和環(huán)境造成傷害，因此需對含砷廢水進(jìn)行處理，達標后排放或回用。