GSL-1100X-RTP50是一款CE認證的快速加熱冷卻爐,配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高純石英管(單端封口),最高工作溫度可達1100℃,一滑軌安裝在右側法蘭處用于爐管的手動移動,從而實現快速的加熱冷卻。為取得最快加熱,可以預先加熱爐子到設定的溫度,然后將爐管插入到加熱區內;為獲得最快冷卻,可在樣品加熱后從加熱爐中移出爐管在空氣中進行強冷。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10℃/s,是低成本快速熱處理的理想爐子。
高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統和高真空機組組成,可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品(尺寸可達3″ )的退火,并采用 10KW的紅外燈進行加熱,最快升溫速度可達 120℃/s,配有RS485 接口,可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
GSL-1600X-VIGA300氣體霧化金屬粉末制備系統是**研制開發的冶金設備,可用于制備鐵基金屬粉末、鎳基金屬粉末、銅粉末、貴金屬粉末等。與同類設備相比,其不僅應用廣泛,且具有體積小便于操作及清理方便的優點,是一款實驗室制備材料粉末的理想設備。
MTI系列加熱平臺是專為材料加工及材料研究實驗室而開發,采用鋁材質整體鑄造,單片機作為核心控制部件,升溫速度快,控溫精準,溫度高低可調,使用完畢后散熱速度快。MTI系列加熱平臺主要適用于加熱時不會發生性質和性狀改變的材料,即不受加熱影響的材料,尤為適用于對溫度敏感材料(如晶體、半導體、陶瓷、金屬等材料)的加熱。也可用于實驗室做化學分析、物理測定、熱處理時進行物品的烘焙、干燥以及其它溫度試驗加熱。設備結構簡單操作方便,是實驗室進行加熱用的合適工具。
1700℃三溫區高溫真空管式爐GSL-1700X-Ⅲ采用三個數字溫度控制器進行獨立控溫,可設置30段升降溫程序,中心加熱區采用800℃級硅鉬棒加熱,另外兩個溫區采用硅碳棒進行加熱,調整三個溫區的溫度,可形成一個溫度梯度,進行功能材料的制備。同時,本機也適用于CVD法制作薄膜外延生長。
帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃,并通過調整三個溫區而建立不同梯度的熱場,可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結樣品及CVD等實驗。