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火試金法是一種經典的貴金屬分析方法，通過高溫熔融樣品，將貴金屬與其他雜質分離，最終測定其含量。
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1200℃多功能三溫區滑軌電動區熔爐是將分體式三溫區管式爐、手動滑軌爐和電動區熔爐，集合在一個系統中實現，通過調整左、中、右三個溫區的位置，可以實現每個溫區之間大梯度的溫度差值。手動滑軌爐模塊可以實現對樣品的快速加熱和快速冷卻功能，右側的電動區熔模塊，通過控制加熱模塊的移動速度，實現對樣品的區熔或提純功能。
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HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
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臺車升降式高效燒結爐，是同時實現脫脂、燒結和廢氣處理的一款爐型。采用臺車升降、爐體雙層設計的結構。爐膛采用四面加熱（前后左右），加熱原件分布在爐膛四周，從而實現爐內的良好均勻性。爐膛內襯采用高溫陶瓷纖維板，原料為氧化鋁多晶纖維，多層方式設計，降低熱損，提高加熱效率。
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小型分體式磁控濺射儀是一款小型的單靶磁控濺射鍍膜儀，配有一個2英寸的磁控等離子濺射頭。射頻等離子電源和高壓直流電源兩種電源可選，用于鍍膜各種薄膜材料。單靶射頻磁控濺射儀體積小巧，功能出色、配置齊全，兼容超凈間，性能穩定?？捎糜谥苽涓哔|量的金屬薄膜、半導體薄膜、介電、絕緣材料薄膜以及復合薄膜、多層異質結等，廣泛應用于材料科學、電子工程、光學、航空航天等領域。
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HT-RLF是一款小型真空熱電弧熔煉爐，用于熔煉小量高溫難融金屬(2000°)。雙鎢電極最大可引入200A電流，一根電極連接不銹鋼坩堝，一根電極插入石墨坩堝內，這通過一個低壓直流電源加熱，石英管外圍由電阻爐輔助加熱，保證坩堝的溫度均勻性。法蘭上端帶有2次加料系統，可在真空熔煉過程中進行二次加料。 此爐用于釹等稀有金屬合金少量樣品的制備。
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HT-1800C是一款高溫管式爐，其內膛中嵌有Zr02的內襯，加熱元件采用硅鉬棒。儀器標配中含有一套不銹鋼真空法蘭(法蘭上安裝有不銹鋼針閥和機械壓力表)和一根高純氧化鋁爐管(60mmO.Dx 1000 mmL)?？販叵到y采用PID50段程序化控溫，控溫精度可達到±1℃。
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HT-1600C是一款高真空超潔凈氣氛爐，最高加熱溫度可達1600℃-1800℃，極限真空度為10-5Torr(需配套分子泵使用)，全水冷不銹鋼爐體內采用鎢帶加熱，外層為鎢多層反射板進行隔溫，爐內為全金屬材質組成，擁有高潔凈度，低放氣量的優點，使得該爐在高溫下可獲得較高真空度，并目擁有很高的潔凈度。
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HT-2300C是一款感應加熱的臥式管式爐，最高溫度可達2300℃，可以在真空和氣氛保護下使用，可以在內部放置一根?26mm的剛玉管（最高耐溫1700℃），用于在空氣、水蒸氣或氧氣氣氛下使用。
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化學氣相沉積系統(CVD)為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)， 內爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD等離子體增強滑動式真空管式爐PECVD系統廣泛應用于沉積高質量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)等。
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升降式真空爐不同于普通真空爐，采用底部開門，方便材料放置，主要用于各種金屬材料及合金材料、高速鋼、冷熱作模具鋼、不銹鋼、彈性合金、高溫合金、軟磁性材料、不銹鋼材料、鈦合金、硬質合金等的真空退火、時效工藝，同時立式真空爐也適用于工具鋼、模具鋼等合金鋼的回火工藝等。
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1700℃高溫箱式真空爐以鉬絲或硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和PID30段程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用軟質和硬質碳纖維材料，能快速升降溫。采用外殼整體密封，蓋板和爐門密封均采用高溫硅膠O型圈，爐門處裝有水冷系統。該爐必須在真空下燒結，該爐采用2X-30機械泵(配電磁放氣閥)及K-200油擴散泵，同時設有冷阱及機組，該爐具有體積小、溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、價格優惠、節能等優點，是高校、科研院所、工礦企業做真空燒結用的理想產品。
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