混氣系統4路質子GSL-4Z是用于控制一種到四種的氣體流經真空密封的管式爐,這種氣體控制系統安裝在移動架內,管式爐可以放在移動架上面,氣體控制系統的前面板上有控制并顯示氣體流量的調節閥,可以用于CVD系統及退火爐,用來研究氣體環境對材料的影響,在半導體和集成電路工業、特種材料學科、化學工業、石油工業、醫藥、環保和真空等多種領域的科研和生產中有著重要的作用,廣泛應用于電子工藝設備,如擴散、氧化、外延、CVD、等離子濺射以及鍍膜設備、光纖熔煉、混氣配氣系統及其它分析儀器。
高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件,適用于高真空狀態下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結、熔化,也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作,如硬質合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃,工作最高溫度1800℃,工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設置,但升溫速度過快會使鉭爐膽的壽命會有所降低,為了延長爐子的使用壽命,推薦每分鐘的升溫速度為20℃,在500℃以下可以適當加快升溫速度。
KSL-1700X-H2 是一款通過 CE 認證的高溫箱式爐,此款儀器專門針對于材 料在氫氣環境或惰性氣體環境進行燒結或是退火,其最高溫度可高達 1700℃。 KSL-1700X-H2采用氧化鋁纖維作為爐膛材料(爐膛尺寸為200 x 200 x 200 mm), 以鉬絲作為加熱元件,爐體頂部密封板中嵌有冷卻水管,以保證儀器工作時的密 封性能。對需在惰性氣體或還原性氣體環境下燒結的材料(如熒光材料,鈦合金 等),KSL-1700X-H2 是一個非常好的選擇。
雙管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-4-C4LVS是特殊的雙管CVD系統,是專為在金屬箔上生長薄膜而設計的,特別適用于新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。本機可通過滑動爐體,實現快速加熱和冷卻。
1200℃雙溫立式爐OTF-1200X-4-VT-II是雙溫區可垂直開啟式立式管式爐,其爐管直徑可制作為100mm,適合于在真空或氣氛保護環境下對樣品進行吊燒和淬火。爐體下端裝有一移動架,以便移動。
2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60適用于高真空狀態下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結、熔化,也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作,如硬質合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設置,但升溫速度過快對鎢爐膽的壽命會有所降低,為了延長爐子的使用壽命,每分鐘的升溫速度不宜超過40℃。
1700℃箱式爐(36L)KSL-1700X-A4采用側開式爐門,以硅鉬棒為加熱元件,智能溫度調節儀和B型雙鉑銠熱電偶配套使用,對爐內溫度進行測溫調節和自動控制,最高工作溫度可達1700℃,與同系列其他型號相比,具有更大的有效爐膛。
CIP-50MAF(分體式)電動等靜壓機是把制品放置于盛滿液體的密閉容器中,通過對其各個表面施加相等的壓力,在高壓的環境下,使得制品的密度變大,并得到所需的形狀。隨著科學技術的進步,等靜壓機越來越廣泛應用于粉末冶金、復合材料、耐火材料、陶瓷、硬質合金等的成型。本機的設計是針對于大專院校、科研院所的材料研究部門,具有體積小、運行可靠、操作容易的特點。
三靶高真空磁控鍍膜濺射系統是一款國產小型科研與教學用鍍膜設備,采用模塊化設計,安裝靈活、易于維護。該設備由超高真空雙靶磁控濺射室、旋轉樣品架、磁控濺射靶、抽氣系統等組成,極限真空優于5.0×10??Pa,可實現單靶、雙靶輪流或共濺射,支持反應磁控濺射制備多種膜系,具備快速抽氣、不停機更換樣品、加熱與旋轉樣品等功能,性價比高,適用于單層膜、多層膜系的鍍制及各類材料的薄膜制備實驗。
鎂合金半連續鑄造生產線是一種先進的生產系統,通過將液態鎂合金自動輸送至保溫前液箱,并利用結晶器周邊的循環水快速冷卻鎂液,使其在鑄造機的牽引下形成固態棒坯。該工藝能顯著提高結晶組織的致密性,避免疏松、縮孔等鑄造缺陷,廣泛用于生產擠壓、軋制型材的原材料或犧牲陽極。生產線分為液壓式和絲桿驅動式兩種,液壓式精度高但造價高,絲桿式造價低但需定期維護。整個操作過程由PLC系統控制,自動化程度高,可精確調整鑄造速度、長度和冷卻參數,確保高質量的鎂合金棒坯生產。
鎂合金連續鑄錠生產線是一種高效、節能的回收與生產系統,通過多年研究和實驗開發的最新工藝,可顯著提高廢鎂合金的回收率和熔化率(提高30%-50%),同時優化回收流程。該生產線包括報廢鎂破碎預熱、中頻熔化、成分檢驗、轉液、保溫靜置、自動澆鑄、冷卻成型及自動出錠等環節,還可根據客戶需求進行個性化設計,如將熔化后的鎂液直接加入壓鑄機邊爐,減少鎂錠重熔時間,實現節能。