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> 稀土氧化物CeO2對PEG基MEMS封裝材料陽(yáng)極鍵合性能的影響
激光精密螺旋焊接技術(shù)及其焊點(diǎn)性能研究.pdf - 楊尚磊
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本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導電材料。當材料中CeO2含量為8wt.%時(shí)，材料的結晶度大大降低，材料內部的無(wú)定形區域增加，有效地促進(jìn)了離子傳輸，提高了離子電導率，增加了鍵合過(guò)程的峰值電流，提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰，無(wú)氣孔或缺陷，鍵合界面抗拉強度達到8.32MPa，拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此，本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能，陽(yáng) 展開(kāi)更多+
本研究制備了含稀土氧化物(CeO2)的固體聚合物電解質(zhì)導電材料。當材料中CeO2含量為8wt.%時(shí)，材料的結晶度大大降低，材料內部的無(wú)定形區域增加，有效地促進(jìn)了離子傳輸，提高了離子電導率，增加了鍵合過(guò)程的峰值電流，提高了鍵合效率。 (PEG)10LiClO4-8%wt.CeO2和鋁箔的鍵合界面清晰，無(wú)氣孔或缺陷，鍵合界面抗拉強度達到8.32MPa，拉伸斷裂發(fā)生在鍵合母材處。因此，本研究制備的固體聚合物電解質(zhì)具有良好的鍵合性能，陽(yáng)極鍵合后可形成理想的鍵合界面。 收起+
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