一種alcu合金靶材制備方法
技術領域
1.本發明涉及真空鍍膜領域，更具體地說，它涉及一種alcu合金靶材制備方法。
背景技術：
2.在高純鋁中加入微量的銅元素，制備的alcu合金具有優異的導電性廣泛應用于顯示和半導體行業，常規alsi合金靶材因其導電性一般而逐步被alcu合金靶材替代。常規alcu合金靶材一般都通過熔煉澆鑄后通過加工獲得，其表面缺陷較多，經常會有氣孔存在。
3.因此需要提出一種新的方案來解決這個問題。
技術實現要素：
4.針對現有技術存在的不足，本發明的目的在于提供一種alcu合金靶材制備方法，通過粉末冶金的方法獲得原料后加工制備的靶材可以獲得均勻的化學成分及表面質量。
5.本發明的上述技術目的是通過以下技術方案得以實現的：一種alcu合金靶材制備方法，包括以下步驟：
6.s1：選用5n納米al粉末和納米cu粉末作為原料，按照原子質量份數，將99％～99.9％的al粉末、0.1％～1％的cu粉體倒入真空氣霧化設備中，溫度1000～1200℃，壓力3～5mpa，制備alcu合金粉末；
7.s2：將所述合金粉末進行壓制成型，得到alcu合金圓棒形毛坯；
8.s3：將所述合金圓棒形毛坯進行擠壓成型，擠壓后快速冷卻產品，得到alcu合金毛坯管靶材或者平面圓靶材；
9.s4：將上述靶材進行退火；
10.s5：將上述合金毛坯管靶材與6系鋁合金加工后焊接并加工得到alcu旋轉靶材；將上述合金毛坯平面圓靶材加工后與cu背板涂銦綁定并加工得到alcu平面靶材。
11.本發明進一步設置為：在s1步驟中，al粉和cu粉的規格均選用d50為60～100um。
12.本發明進一步設置為：在s2步驟中，壓制成型的設備為四柱液壓機，壓力為400～600mpa，保壓時間5～10min。
13.本發明進一步設置為：在步驟s3中，擠壓成型設備為5kt擠壓機，擠壓溫度為300～400℃，毛坯的加熱溫度為300～400℃。
14.本發明進一步設置為：在s3步驟中，平面圓靶材通過正向擠壓或反向擠壓完成。
15.本發明進一步設置為：在s3步驟中，管靶材通過反向擠壓完成。
16.本發明進一步設置為：在s4步驟中，退火溫度為250～400℃，保溫時間為1～3h，退火冷卻方式為隨爐冷卻。
17.本發明進一步設置為：在s5步驟中，綁定的步驟包括準備合金毛坯平面
聲明：
“AlCu合金靶材制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：基邁克材料科技（蘇州）有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
