本發明涉及一種MIM電容器件失效分析方法,MIM電容器件位于一硅襯底上并包括一上極板、一下極板和一位于上極板與下極板之間的絕緣層,硅襯底上還至少包括一位于MIM電容器件上方的金屬層,上、下極板分別與金屬層的第一、第二電路區電連接,該方法包括如下步驟:a)確定下極板有無接地,若沒有,則執行步驟b);否則,執行步驟d);b)尋找與MIM電容器件層間距離最近的電源總線;其中,電源總線包括一接地引線;c)形成一連接下極板與電源總線的電路通路;d)通過電壓襯度檢測確定MIM電容器件的漏電區域。其在通過電壓襯度檢測MIM電容漏電區域時,不會漏過漏電程度較小的情況,便于觀測、也更加可靠。
聲明:
“MIM電容器件失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)