一種微納多孔硅材料的制備方法,屬于半導體光電子材料與器件技術領域。此方法是為了解決以下問題:傳統工藝制備而成的多孔硅表面形貌單一,在吸光、提高光電流增益、延伸光譜響應等特性上有待提高。本發明結合電化學腐蝕法與金屬催化刻蝕法的優點,對電化學方法制備的多孔硅表面進行金屬催化刻蝕法作進一步修飾,使它表面具有微納結構,改善材料的光吸收率、反射率、霍爾效應、溫度電阻變化系數等光電性能。使得半導體表面微結構化比傳統半導體具有更大的應用價值,可用于基于多孔硅的光電探測器和太陽能電池,能有效提高器件效率及響應速度,且制備工藝簡單、成本較低,對微結構材料應用于新型光電探測器的研究具有非常重要的意義。
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