本發明公布了一種高阻尼形狀記憶合金及其制備方法,該形狀記憶合金的化學式為Ni55-xCuxMn25Ga20(0≤x≤6);按照Ni55-xCuxMn25Ga20的化學計量比,將Ni、Cu、Mn和Ga單質放入電弧熔煉爐中,并抽真空再充入氬氣在110A下熔煉得到鑄錠,并將鑄錠反復熔煉后經高溫固溶處理后淬火至室溫,得到高阻尼形狀記憶合金。對Ni55-xCuxMn25Ga20形狀記憶合金體系的阻尼測試表明,這些樣品具有高阻尼峰,阻尼峰值Q-1均大于0.03,最大峰值達到0.0771。阻尼峰的溫度范圍很寬,可達到200K-430K,完全覆蓋環境溫區,且阻尼峰不隨頻率變化、穩定性高,具有實際應用價值。
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