本發明涉及一種高性能熱電材料及其制備方法,材料的化學式為Eu1?yCayZn2?xAgxSb2,其中,x=0,y≤0.5;或y=0,x≤0.05;所述材料通過以下方法制成:以高純單質(>99.99%)為原料,按上述化學式中化學計量比配料,混合均勻后,放置到涂炭的石英管中進行真空封裝,再放入井式爐中經高溫熔融、冷水淬火及退火熱處理后,研磨成粉末并進行真空熱壓燒結,緩慢降溫后即得到目的產物。與現有技術相比,本發明通過使用低價態Ag原子對Zn原子位置進行摻雜調控載流子濃度,使本征p型EuZn2Sb2熱電半導體材料的載流子濃度在3.5~14×1019cm?3范圍內可調,并通過Ca取代Eu原子位置形成固溶體,在不影響載流子濃度的前提下,引入點缺陷在整個測試溫度范圍內大幅度降低材料的晶格熱導,從而提高了其熱電性能。
聲明:
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