本發明提供一種集成硅光調制器和鍺硅探測器的硅光集成芯片及制備方法,利用刻蝕工藝形成的凹槽來定義氮化硅波導的位置和尺寸,之后通過化學機械拋光將多余的氮化硅移除,凹槽內的氮化硅形成光波導,因此本發明氮化硅波導的制備能夠與包含硅光調制器和鍺硅探測器的硅光集成芯片制作工藝相兼容,并且可以靈活控制氮化硅波導和硅波導之間的距離,從而實現硅波導與氮化硅波導之間可控的耦合強度和耦合損耗;利用底層的硅波導和上層的氮化硅波導,可以組合設計多種性能更好的無源器件,比如更低耦合損耗的耦合器、更低傳輸損耗的波導等等。
聲明:
“集成硅光調制器和鍺硅探測器的硅光集成芯片及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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