本發明公開了一種日盲紫外雪崩光電探測器及其制備方法,其中光電探測器的結構從下至上依次為AlN模板層、AlN緩沖層、n型Alx1Ga1?x1N層、i型Alx2Ga1?x2N吸收層、n型GeS分離層、i型Alx3Ga1?x3N倍增層和p型GaN層;所述n型Alx1Ga1?x1N層上引出有n型歐姆電極;所述p型GaN層上引出有p型歐姆電極;所述n型GeS分離層分別與i型Alx2Ga1?x2N吸收層和i型Alx3Ga1?x3N倍增層采用范德華力鍵合組合形成。本發明n型分離層采用二維材料GeS替代三維材料AlGaN與上下的i型AlGaN層通過范德華力進行鍵合在一起,而不是用化學外延生長方法,解決了現有技術中器件提前擊穿、界面處產生極化電荷的問題,同時提高了雪崩光電探測器的響應速度。
聲明:
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