本發明提供一種晶圓中金屬雜質的檢測方法,包括:將晶圓進行中溫熱處理,加熱至350℃~550℃溫度范圍內,保持第一預設時間;將中溫熱處理后的晶圓降溫至低溫并進行低溫熱處理,低溫熱處理包括:在200℃~300℃溫度范圍內,保持第二預設時間;將低溫熱處理后的晶圓降溫至室溫;將化學氣相分解液滴在室溫下的晶圓表面收集金屬雜質;將包含金屬雜質的化學氣相分解液霧化后進行電感耦合等離子體質譜光譜分析,計算得到各種金屬雜質的含量。本發明采用先中溫熱處理,不直接降溫到室溫,而是降溫至低溫并進行低溫熱處理的串聯熱工藝,兼顧了晶圓中不同的金屬雜質擴散到晶圓表面并進行檢測,耗時減少,提升了效率。
聲明:
“晶圓中金屬雜質的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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