本發明公開了一種化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構,屬于集成電路制造工藝和版圖設計技術領域。所述版圖中包含多個長度和寬度大于100微米的矩形結構模塊,模塊與模塊之間的距離為模塊間距,所述模塊間距大于100微米,模塊由金屬線和介質層構成,模塊中金屬線面積占模塊總面積的比例為金屬密度,所述模塊為不同金屬線寬的孤立線結構模塊、不同金屬密度和金屬線寬的模塊、不同金屬線寬與密度組成的復合結構模塊、或復合結構模塊中不同模塊間距的結構模塊。本發明能夠減少測試芯片和實驗次數,節省建模成本和時間。
聲明:
“化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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