本發明公開了一種單面拋光超薄晶圓平坦化加工方法,包括如下步驟:首先使用噴砂機構和具備減震功能的晶片吸附載臺,噴砂機構以一定的噴射角度將磨料往晶片表面往復、旋轉噴射轟擊,直到晶片表面均勻完整的粗化。本發明通過磨砂機構對晶片的表面進行打磨,直到晶片的表面均勻完整的粗化,通過減震平臺避免砂粒噴射在晶片表面上瞬間力量過大導致晶片破碎,用以實現厚度<350um以下的超薄超平坦單面拋光基板備置,解決了傳統的單面拋光工藝無法達到鉭酸鋰(LiTaO3;LT)/鈮酸鋰(LiNBO3;LN)的平坦度要求,即使習知的雙拋工藝具備較好的平坦化制程能力,但也受限晶體本身為透明的特性,而無法直接將拋光后的晶片應用于后段制程上的問題。
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