一種基于MoS2的全固態電解質憶阻器及其制備方法,屬于電子制備工藝以及類腦計算領域,首先選用MoS2作為溝道材料,MoS2通過ALD和CVD相結合的方法來制備,選用鋰鹽作為固態電解質,使用磁控濺射的方法來制備固態電解質層,使用電子束蒸發和磁控濺射等方法來制備電極。通過柵端電場調制鋰離子的嵌入和脫出改變二硫化鉬的能帶結構,同時源漏兩端施加讀取電壓得到溝道電導的變化,使得憶阻器件具有良好的電導更新線性度和更低的操作功耗,可以應用于新一代神經形態計算。利用上述的器件結構已經制備出相應的全固態電解質憶阻器,在脈沖激勵下,實現了良好的電導更新對稱性和近98%的電導線性度,同時器件具有105以上的耐久性。
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