本發明涉及一種N型半導體金剛石單晶及其生產方法。在晶體內含有規則排列的氮、鋰和鈹原子,其中氮-鋰原子對、氮-鈹原子對和鋰-氮-鈹原子對的總量在100-10000ppm之間,半導體單晶的尺寸為0.3-10mm,晶體為正六面體、正八面體或六-八面體。生產時將石墨粉、金屬催化劑、氮化鋰、氮化鈹按比例混合,加壓到100-300MPa冷等靜壓處理,泄壓后將混合料破碎后放入模具中壓制成圓柱形合成柱,真空燒結,裝入合成塊,在高溫高壓定向磁場中處理;將合成柱破碎,經電解、搖床分離,得到N型半導體金剛石單晶。本發明單晶導電性較好,光熱轉換效率高,適合于太陽能電池、LED光源、高性能芯片的制作,產品性能穩定。
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